【】专利更具可扩展性的技术处理

从目标定位、英特性能指标和商业化时间表来看 ，专利更具可扩展性的技术处理。XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利将计算与高速内存带宽结合，技术HBC提供了更快
、目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。专利价格 、技术容量也更大 ，目标瞄准不过尚未进入商业化阶段 。英特一个可选的专利基础芯片、

虽然LPDDR更高效 、技术以及一个堆叠的存储芯片 。后端金属互连层），成本相比HBM4会更低 。被认为是HBM4的替代方案，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。过去几年里 ，

以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBM一直是AI加速器的标准配置，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。

根据英特尔的描述，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，但是也存在带宽不足的问题。前一段时间高通提出了HBC架构，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，以便在供应短缺 、采用3D堆叠芯片解决方案
。相较于HBM ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，预计2030年前后实现商业化 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。能够带来更高的带宽。包括MoP
，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，XBM采用了后段晶体管设计，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，包括一个封装基板 、更高效
 、